Ученым из Университетского колледж Лондона (UCL) удалось впервые создать чипы "резистивной памяти с произвольным доступом" (Resistive RAM, ReRAM, RRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях, а не в вакууме, как другие разрабатываемые в разных странах образцы, в которых тоже используется оксид кремния.